騰訊科技訊 據(jù)外媒報(bào)道，美國(guó)德克薩斯州一家聯(lián)邦地方法院的陪審團(tuán)周五裁定，三星電子侵犯韓國(guó)一家大學(xué)的專(zhuān)利，需向后者賠償4億美元。
該陪審團(tuán)指出，高通和GlobalFoundries兩家公司也侵犯了韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院（Korea Advanced Institute of Science & Technology）專(zhuān)利部門(mén)所有的專(zhuān)利，但無(wú)需進(jìn)行賠償。
三星電子、高通和GlobalFoundries侵犯韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院的專(zhuān)利與“FinFet”（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）相關(guān)，它是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性，這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院的專(zhuān)利部門(mén)KAIST IP在訴訟中指出，三星電子最初并不看好FinFet技術(shù)研究，認(rèn)為它只是一種時(shí)尚。但是在三星電子的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾開(kāi)始授權(quán)這項(xiàng)專(zhuān)利并開(kāi)發(fā)自己的產(chǎn)品后，這一切都發(fā)生了變化。2011年，英特爾推出商業(yè)化的FinFET，并把它使用在22納米節(jié)點(diǎn)的工藝中。三星電子在2015年率先把FinFET技術(shù)應(yīng)用于10納米制程。
作為當(dāng)前全球最大的芯片制造商，三星電子向陪審團(tuán)表示，該公司與韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院共同合作開(kāi)發(fā)FinFet技術(shù)，否認(rèn)侵犯了該技術(shù)專(zhuān)利。三星電子還對(duì)專(zhuān)利的有效性提出了質(zhì)疑。
陪審團(tuán)在經(jīng)過(guò)審理后裁定，三星電子的侵權(quán)行為屬于“故意”或有意為之，這意味著法官可以將損害賠償額提高到陪審團(tuán)設(shè)定的三倍。
FinFet技術(shù)是制造智能手機(jī)用處理器的關(guān)鍵技術(shù)之一。GlobalFoundries和三星電子目前都使用該技術(shù)制造芯片。作為全球最大的手機(jī)芯片制造商，高通是前兩者的客戶。上述三家公司在本案中進(jìn)行了聯(lián)合辯護(hù)。
這起訴訟案標(biāo)志著韓國(guó)頂尖科研機(jī)構(gòu)與對(duì)該國(guó)經(jīng)濟(jì)至關(guān)重要的公司之間的沖突。截至目前，雙方的辯護(hù)律師均拒絕對(duì)裁定發(fā)表評(píng)論。（編譯/明軒）
